收藏本站
型号 IPD80N06S3-09
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPD80N06S3-09 PDF
代理商 IPD80N06S3-09
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8.4 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 55µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 88nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6100pF @ 25V
功率 - 最大 107W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000264473
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD80P03P4L-07 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
IPD80P03P4L-07 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
IPD80P03P4L-07 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N03S4L-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N03S4L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N03S4L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N03S4L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD90N04S3-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD90N04S3-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD90N04S3-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD90N04S3-H4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IPD90N04S4-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
IPD90N04S4-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
IPD90N04S4-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
IPD90N04S4-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
IPD90N04S4L-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
IPD90N06S4-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPD90N06S4-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3